环振电路

作品数：6被引量：8H指数：2
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相关机构：北京大学东南大学中国航天北京微电子技术研究所北京时代民芯科技有限公司更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《系统工程与电子技术》《微电子学》《半导体技术》更多>>
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一种支持SoC数字电路老化及寿命的评估方法被引量：1
《微电子学》2024年第3期511-516,共6页陈朝晖 张弛 刘玮 宋玉祥 刘潇骁 唐诗怡 
南方电网公司重点科技项目(ZDKJXM20200056)。
使用Spice可靠性仿真技术和高温稳态寿命(HTOL)实验相结合的方法,研究不同的MOSFET器件组成的环振电路在持续翻转状态下,不同应力时间和应力电压对其寿命退化的影响。依据仿真结果和Power-Law模型建立数字电路的寿命预测理论模型。通过H...
关键词：SoC数字电路 环振电路 SPICE仿真 Power-Law模型 R-D模型 高温稳态寿命 
0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究
《半导体技术》2007年第6期490-493,共4页毕津顺 海潮和 
研究了0.8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8μmPDSOI CMOS工艺。经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路。其中,当工作电压为5 V时,基于浮体SOI CMOS技术的0.8μm101级环振单级延时为49.5 ps;基于H型栅体...
关键词：部分耗尽绝缘体上硅 CMOS器件 环振电路 
SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1147-1153,共7页卜伟海 黄如 徐文华 张兴 
国家重点基础研究专项基金 ( 2 0 0 0 0 36 5 );国家自然科学基金 ( No.6 9976 0 0 1)资助项目~~
针对 SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟 ,通过改变器件参数 ,比较系统地考察了 SOI器件中瞬态浮体效应 ,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对 CMOS/SOI电路 (以环振电路为例 )的影响 ,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构...
关键词：SOI器件 浮体效应 环振电路 集成电路 
深亚微米LDD CMOS集成数值模型及环振电路的瞬态模拟
《系统工程与电子技术》1993年第9期1-7,共7页余山 黄敞 
根据载流子总量分析方法,建立了深亚微米CMOS集成数值模型,把电路的端特性与器件内部载流子的运动状态联系起来,解决了经验解析公式在亚微米时的局限,完成了对0.20μm LDD CMOS环振电路的瞬态分析,并与实际制做的0.5μmCMOS环振电路进...
关键词：场效应器件 电路分析 数值模拟 
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