PMMA在LIGA技术中的应用  

Application of PMMA Resist in LIGA Technique

作　　者：陈永明[1] 伊福廷[2] 陈传福[1] 彭良强[2] 习复[1] 

机构地区：[1]中国科学院化学研究所,北京100080 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100039

出　　处：《微细加工技术》2001年第4期36-38,43,共4页Microfabrication Technology

基　　金：国家基金委资助项目 (5 94 730 11)

摘　　要：合成了用于LIGA微细加工技术的聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀剂 ,采用同步辐射装置X射线深度曝光 ,可得到深宽比 4 5～ 90 ,深度大于 4 50微米 ,细线宽 5～ 1The PMMA resist used in LIGA microfabrication is synthesized.The lithographic patterns with line width of 5～10μm,height of over 450μm and the aspect ratio of 45～90 are obtained by deep exposure using X ray from synchrotron radiation device.

关 键 词：LIGA技术 集成电路 微细加工技术 光刻 

分 类 号：TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学]