离子束外延生长半导体性锰硅化合物  

The Growth of Semiconductive Manganese Silicide by Ion Beam Epitaxy

作　　者：杨君玲[1] 陈诺夫[1] 刘志凯[1] 杨少延[1] 柴春林[1] 廖梅勇[1] 何宏家[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第11期1429-1433,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项经费项目 ( G2 0 0 0 0 6 83);攀登计划( PAN95 -YU -34)资助项目~~

摘　　要：利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6By mass analyzing low energy dual ion beam epitaxy technique,semiconductive manganese silicide,Mn 27 Si 47 and Mn 15 Si 26 ,is obtained.Auger electron spectroscopy depth composition measurement shows that some Mn ions deposited on the single crystal silicon can form a 37 5nm thick Mn film,and the other Mn ions can be successfully implanted into Si substrate with the depth of implantation of 618nm.At 840℃,the sample is annealed in flowing N 2.X ray diffraction shows that the annealing is beneficial to the growth of Mn 27 Si 47 and Mn 15 Si 26 .

关 键 词：半导体性锰硅化物 硅单晶 离子束外延生长 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]