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作 者:杨海亮[1] 李国政[1] 姜景和[1] 贺朝会[1] 唐本奇[1]
机构地区:[1]西北核技术研究所,陕西西安69号信箱10分箱710024
出 处:《核电子学与探测技术》2002年第2期158-161,116,共5页Nuclear Electronics & Detection Technology
摘 要:通过实验方法确定了高能质子和中子引起的单粒子效应等效关系。实验中采用金箔散射法降低了质子束流强度 ,并利用热释光剂量计 (TLD)进行质子注量的监测 ,采用新研制的存储器长线实时监测系统 ,进行了 64K位至 4 M位的 SRAM器件单粒子效应实验 ,确定了两种粒子引起单粒子效应等效关系。This paper determined the equivalence relationship of Single Event Effect(SEE) induced by protons and neutrons on experimental grounds. The scatter gold foil was utilized to weaken the intensity of the protons beam . The thermoluminescence dosimeters(TLD) are used for measuring the fluence of incident protons. The upset cross sections on 64Kbit up to 4Mbit SRAM devices were measured with a new long line test control system. The equivalence coefficient of SEE induced by protons and neutrons are established.
关 键 词:单粒子效应 等效性 实验研究 金箔散射法 质子 中子
分 类 号:O571.1[理学—粒子物理与原子核物理]
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