李国政

作品数：25被引量：107H指数：7
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发文领域：理学电子电信航空宇航科学技术核科学技术更多>>
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真空和辐射环境下的高低温系统
《核电子学与探测技术》2004年第3期272-274,271,共4页贺朝会 耿斌 惠卫东 黄芳 王燕萍 李国政 
研究了在一定真空度(1Pa左右)和辐照环境(裂变碎片104s-1,中子104s-1)中获得高低温的方法,特别是低温(-55～20℃)的实现技术。研制出适应于锎源辐照测量系统的高低温装置及测量控制系统,温度范围:-100～125℃,控制精度:高温±1℃,低温±...
关键词：低温系统 高温系统 单粒子翻转 真空环境 辐射环境 锎源 
浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析被引量：13
《电子学报》2003年第8期1260-1262,共3页贺朝会 耿斌 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍 
比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这...
关键词：FLASH ROM EEPROM SRAM 单粒子效应 总剂量效应 
浮栅ROM器件辐射效应机理分析被引量：11
《物理学报》2003年第9期2235-2238,共4页贺朝会 耿斌 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍 
分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理 ,合理地解释了实验中观察到的现象 .指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因 .浮栅ROM器件的中子、质子和6 0
关键词：浮栅ROM器件 辐射效应 氧化物陷阱电荷 界面陷阱电荷 中子 质子 总剂量效应 只读存储器 ^60Coγ 
浮栅ROM器件的辐射效应实验研究被引量：8
《物理学报》2003年第1期180-187,共8页贺朝会 耿斌 杨海亮 陈晓华 王燕萍 李国政 
浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明 ,其 31.9MeV质子和 14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应 ,而是一种总剂量效应 .浮栅ROM器件的6 0 Coγ辐照实验验证了这一点 .器件出现错误有个注量或剂量阈值 .动态监测和静态加电的器件...
关键词：浮栅ROM器件 辐射效应 实验研究 单粒子效应 总剂量效应 只读存储器 
高能质子单粒子翻转效应的模拟计算被引量：10
《计算物理》2002年第4期367-371,共5页贺朝会 陈晓华 李国政 
在分析质子与硅反应的基础上 ,提出质子单粒子翻转截面理论计算模型 ,建立了模拟计算方法 .计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量 .指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量 ,产生...
关键词：高能质子 计算 单粒子翻转 MONTECARLO模拟 模型 半导体器件 航天器 空间辐射 
重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究被引量：2
《核电子学与探测技术》2002年第3期228-230,256,共4页贺朝会 耿斌 王燕萍 彭宏论 杨海亮 陈晓华 李国政 
应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻...
关键词：重离子 γ源 单粒子翻转截面 Γ辐照 半导体器件 钴60 镧252 单粒子效应 γ累积剂量 
^(252)Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统和应用被引量：1
《核技术》2002年第4期247-252,共6页王燕萍 唐本奇 李国政 贺朝会 陈晓华 
描述了新建的2 52 Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统 。
关键词：^252Cf源 单粒子效应 重离子模拟 宇宙射线 辐照效应 空间电子设备 锎^252辐射源 在线测量系统 
静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究被引量：9
《核电子学与探测技术》2002年第2期155-157,142,共4页贺朝会 耿斌 王燕萍 杨海亮 张正选 陈晓华 李国政 路秀琴 符长波 赵葵 郭继宇 张新 
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的...
关键词：静态随机存取存储器 重离子加速器 单粒子翻转效应 C5252 锎252 辐射源 实验研究 
质子和中子的单粒子效应等效性实验研究被引量：3
《核电子学与探测技术》2002年第2期158-161,116,共5页杨海亮 李国政 姜景和 贺朝会 唐本奇 
通过实验方法确定了高能质子和中子引起的单粒子效应等效关系。实验中采用金箔散射法降低了质子束流强度 ,并利用热释光剂量计 (TLD)进行质子注量的监测 ,采用新研制的存储器长线实时监测系统 ,进行了 64K位至 4 M位的 SRAM器件单粒子...
关键词：单粒子效应 等效性 实验研究 金箔散射法 质子 中子 
半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验被引量：6
《强激光与粒子束》2002年第1期146-150,共5页贺朝会 耿斌 杨海亮 陈晓华 张正选 李国政 
国防科技预研经费资助课题
着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级 ,从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的...
关键词：加速器 质子 重离子 单粒子效应 半导体器件 航天器 电子系统 
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