彭宏论

作品数：20被引量：94H指数：6
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发文主题：总剂量效应MOS器件半导体器件辐照效应大规模集成电路更多>>
发文领域：电子电信理学核科学技术医药卫生更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《微电子学》《核技术》《核电子学与探测技术》更多>>
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商用三端稳压器的中子辐射效应被引量：4
《核电子学与探测技术》2010年第9期1269-1274,共6页白小燕 彭宏论 林东生 陈伟 李瑞宾 王桂珍 杨善潮 李斌 郭晓强 
实验研究了两种型号(CJ79L05011和CJ7905011)的商用三端稳压器在不同负载情况下中子辐射效应,得到了输出电压随中子注量的变化曲线。借助三端稳压器的简化模型,分析认为中子辐射下晶体管放大倍数的减少是造成三端稳压器输出电压变化的...
关键词：三端稳压器 中子辐射 晶体管 放大倍数 
热释光剂量计能量响应特性研究被引量：3
《核电子学与探测技术》2005年第2期190-192,共3页常冬梅 彭宏论 林东生 龚建成 韩福斌 杨善潮 关颖 
使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1～1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子变化小于10%。
关键词：热释光剂量计 能量响应 实验 Γ射线 能量范围 变化 因子 蒙特卡罗方法 
大规模集成电路总剂量效应测试方法初探被引量：22
《物理学报》2004年第1期194-199,共6页贺朝会 耿斌 何宝平 姚育娟 李永宏 彭宏论 林东生 周辉 陈雨生 
提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储器 (SRAM)、电擦...
关键词：大规模集成电路 半导体器件 总剂量效应 监测器件 电路功能参数 功耗电流 静态随机存取存储器 电擦除电编程只读存储器 闪速存储器 微处理器 
浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究被引量：10
《核电子学与探测技术》2002年第4期344-347,共4页贺朝会 耿斌 陈晓华 王燕萍 彭宏论 
给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错...
关键词：浮栅ROM器件 γ辐射效应 实验研究 总剂量效应 钴60 γ源 只读存储器 
重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究被引量：2
《核电子学与探测技术》2002年第3期228-230,256,共4页贺朝会 耿斌 王燕萍 彭宏论 杨海亮 陈晓华 李国政 
应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻...
关键词：重离子 γ源 单粒子翻转截面 Γ辐照 半导体器件 钴60 镧252 单粒子效应 γ累积剂量 
MOS器件加固技术的理论研究被引量：1
《原子能科学技术》2002年第3期276-279,共4页罗尹虹 张正选 姜景和 姚育娟 何宝平 王桂珍 彭宏论 
对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟 ,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状 3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响。分析得出 ,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄...
关键词：MOS器件 加固技术 抗辐射加固 掺杂浓度 辐照偏压 鸟嘴形状 抗辐射能力 晶体管 
低剂量率下MOS器件的辐照效应被引量：6
《微电子学》2002年第1期29-33,共5页刘传洋 张廷庆 刘家璐 王剑屏 黄智 徐娜军 何宝平 彭宏论 姚育娟 王宝成 
对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明 ,偏置在 MOS器件栅氧化层内产生电场 ,增强了辐照产生电子 -空穴对的分离 ,同时 ,影响了正电...
关键词：MOS器件 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 
MOS器件的质子总剂量效应
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1468-1473,共6页王桂珍 张正选 姜景和 罗尹红 彭宏论 何宝平 
介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ...
关键词：总剂量效应 质子 MOS器件 半导体器件 
低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应被引量：13
《物理学报》2001年第12期2434-2438,共5页张廷庆 刘传洋 刘家璐 王剑屏 黄智 徐娜军 何宝平 彭宏论 姚育娟 
对金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究 .对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较 .结果表明 ,低剂量率辐照下 ,感生界面态要受到辐照时间的长短以及...
关键词：辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 低温 界面态 金属氧化物-半导体器件 MOS器件 
环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响被引量：12
《Journal of Semiconductors》2001年第6期779-783,共5页何宝平 姚育娟 彭宏论 张正选 
研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度...
关键词：NMOSFET 场效应晶体管 环境温度 电离辐射剂量率 
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