徐娜军

作品数：3被引量：24H指数：3
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供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文主题：辐照电子系统MOS器件辐照效应阈值电压漂移更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《微电子学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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低剂量率下MOS器件的辐照效应被引量：6
《微电子学》2002年第1期29-33,共5页刘传洋 张廷庆 刘家璐 王剑屏 黄智 徐娜军 何宝平 彭宏论 姚育娟 王宝成 
对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明 ,偏置在 MOS器件栅氧化层内产生电场 ,增强了辐照产生电子 -空穴对的分离 ,同时 ,影响了正电...
关键词：MOS器件 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 
低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应被引量：13
《物理学报》2001年第12期2434-2438,共5页张廷庆 刘传洋 刘家璐 王剑屏 黄智 徐娜军 何宝平 彭宏论 姚育娟 
对金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究 .对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较 .结果表明 ,低剂量率辐照下 ,感生界面态要受到辐照时间的长短以及...
关键词：辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 低温 界面态 金属氧化物-半导体器件 MOS器件 
BF_2^+注入加固硅栅PMOSFET的研究被引量：8
《物理学报》1999年第12期2299-2303,共5页张廷庆 刘家璐 李建军 王剑屏 张正选 徐娜军 赵元富 胡浴红 
国家自然科学基金
系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了Ｂ...
关键词：PMOSFET MOS器件 离子注入 硅栅 
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