硅栅

作品数：94被引量：68H指数：4
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BCD工艺在高压功率驱动电路中的应用
《微处理机》2024年第5期54-56,60,共4页吴会利 林雨佳 孔祥旭 宋博尊 
随着集成电路技术的快速发展,高压功率驱动电路在工业和汽车电子等领域得到广泛应用。为深入理解、开发和掌握先进BCD工艺技术,更好发挥其兼容Bipolar、CMOS和DMOS工艺的优势,通过介绍BCD工艺的特点及其发展历程,结合600 V高压功率驱动...
关键词：BCD工艺 隔离技术 电压转换 功率驱动电路 兼容性 闩锁效应 叉指结构 多晶硅栅 
BiCMOS多晶硅栅的光刻和刻蚀工艺分析被引量：1
《集成电路应用》2023年第10期41-43,共3页白川川 赵海红 汪增 吕晓明 李海军 王昭 张晓情 
甘肃省科技计划资助项目(21ZD4GE035)。
阐述在0.5μm BiCMOS工艺中的多晶硅栅制备工艺关键试验。试验表面旋涂转速会显著影响涂胶厚度,该参数的变化会影响到多晶硅栅的形貌和物理性能。同时,通过调节曝光量和焦深,可以有效地控制光刻过程的精度,从而确保多晶硅栅结构的准确...
关键词：半导体制造 BICMOS 多晶硅栅 涂胶 光刻 刻蚀 
近红外吸收增强银纳米凹坑-硅栅组合结构模拟被引量：1
《激光与光电子学进展》2022年第5期288-295,共8页孙国斌 张锦 蒋世磊 杨柳 
陕西省教育厅重点实验室科研计划(18JS053);陕西省科技厅重点实验室项目(2013SZS14-P01)。
针对二维硅光栅微结构在近红外光吸收率极低的特点,提出了一种利用等离激元增强金属Ag纳米凹坑-硅栅近红外光吸收的微纳组合结构,基于时域有限差分法研究了该组合结构在0.78~2.5μm宽波段的吸收率,分析了光栅结构与Ag纳米凹坑对光吸收...
关键词：光栅 光吸收增强 Ag纳米凹坑 硅光栅结构 等离激元 
用于1550nm吸收增强的微纳阵列复合结构设计被引量：2
《激光与光电子学进展》2021年第7期116-123,共8页季雪淞 张锦 杨鹏飞 孙国斌 蒋世磊 杨柳 
陕西省教育厅重点实验室科研计划(18JS053);陕西省科技厅重点实验室项目(2013SZS14-P01);西安工业大学基金(XAGDXJJ15001);西安工业大学光电工程学院基金(15GDYJY03)。
为了增强通信系统中光电探测器件对波长为1550 nm的光的吸收,提出一种包含硅栅、纳米银球和缓冲层的微纳复合结构。借助金属表面等离子激元共振局域场增强效应,以及硅栅的陷光效应和耦合作用,可以提高复合微纳阵列结构对光的吸收。利用...
关键词：光栅 近红外吸收 表面等离子激元共振 场增强 金属-硅栅复合微结构 
等离激元增强金属-硅组合微结构近红外吸收被引量：14
《光学学报》2020年第21期156-162,共7页杨柳 蒋世磊 孙国斌 杨鹏飞 季雪淞 张锦 
陕西省教育厅重点实验室科研计划(18JS053);陕西省科技厅重点实验室项目(2013SZS14-P01);西安工业大学基金(XAGDXJJ15001);西安工业大学光电学院基金(15GDYJY03)。
亚波长光栅结构的光学表面具有减反特性,这种特性在光电转换效率的应用方面具有重要意义。为了提高硅基光栅结构在近红外波段(0.78~2.50μm)的吸收率,采用在硅表面光栅空隙处加入金属Ag纳米颗粒和Al2O3介质层的方法,利用FDTD软件仿真研...
关键词：表面光学 光吸收增强 近红外吸收 金属-硅栅-匹配介质层组合结构 表面等离激元 
多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响被引量：5
《浙江大学学报（工学版）》2015年第2期366-370,共5页黄龙 梁海莲 顾晓峰 董树荣 毕秀文 魏志芬 
国家自然科学基金资助项目(61171038;61150110485);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B;JUDCF13032);江苏省科技厅产学研联合创新资金前瞻性联合研究项目(BY2013015-19);江苏省普通高校研究生创新计划CXLX13_747)
为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器...
关键词：静电放电 可控硅 横向扩散金属氧化物半导体 多晶硅栅 传输线脉冲测试 
掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布被引量：3
《哈尔滨工业大学学报》2014年第3期124-128,共5页王爱华 牛义红 刘宇 陈铁军 李立亚 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(N110204015);中国博士后科学基金面上资助项目(2012M510075)
为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能,采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了3种掺杂硅硅栅宽度(lG=40,50,60μm)条件下,硅栅宽度与图案周期之比(lG/lP=0.05,0.10,0.25)...
关键词：图案晶圆片 快速热处理工艺 热辐射 温度分布 热传输特性 
高纵横选择比低损伤多晶硅栅的工艺实现被引量：2
《半导体技术》2013年第7期536-539,共4页苏延芬 苏丽娟 胡顺欣 邓建国 
分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧...
关键词：微波高密度等离子体(HDP) 纵横向刻蚀选择比 等离子体损伤 聚合物清洗 终点检测(EPD) 
0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺研究
《微电子学与计算机》2013年第4期156-159,共4页公衍刚 梁永杰 刘存生 孙有民 
本文主要研究0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺中"硅LOSS"及"T腰"问题的形成机理.在不改变产品工艺流程的前提下,对多晶硅栅刻蚀工艺进行优化,提出"两步ME法"优化了刻蚀形貌,改善了硅LOSS、T腰的问题.满足0.35μm CMOS多晶形貌及工艺要求,...
关键词：多晶刻蚀 0 35μm CMOS 硅LOSS T腰 ME 
芯片制造三巨头的次世代光刻技术战略对比分析被引量：1
《半导体信息》2011年第2期25-27,共3页沈熙磊 
台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头,不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言,在提供的产品方面,Globalfoundries在28nm制程仅提供HKMG工艺的代工服务(至少从对外公布的路线图上看是这样),而相比之下,台积电的28
关键词：芯片制造 光刻技术 次世代 硅栅 掩模 电子束光刻 对比分析 林本 推进者 研究力量 
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