关颖

作品数：14被引量：43H指数：3
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供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文主题：X射线辐照CMOS器件总剂量效应Γ射线更多>>
发文领域：电子电信核科学技术医药卫生理学更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《高压电器》《强激光与粒子束》《微电子学》更多>>
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DPF-300脉冲X射线源同步触发系统研制被引量：1
《强激光与粒子束》2007年第1期151-154,共4页梁天学 关颖 蒯斌 丛培天 林东生 韩福斌 杨善潮 张众 
DPF-300脉冲X射线源的同步触发系统采用三级触发：第一级由初级脉冲产生器触发氢闸流管；第二级由氢闸流管输出脉冲触发多路触发开关；第三级由多路触发开关和触发箱组成，触发主放电场畸变开关。该触发系统中多路触发开关产生负极性脉...
关键词：同步触发系统 脉冲X射线源 触发开关 高密度等离子体聚焦 
热释光剂量计能量响应特性研究被引量：3
《核电子学与探测技术》2005年第2期190-192,共3页常冬梅 彭宏论 林东生 龚建成 韩福斌 杨善潮 关颖 
使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1～1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子变化小于10%。
关键词：热释光剂量计 能量响应 实验 Γ射线 能量范围 变化 因子 蒙特卡罗方法 
CMOS器件的脉冲γ总剂量效应初探
《核电子学与探测技术》2004年第6期745-748,共4页罗尹虹 龚建成 关颖 石小峰 郭红霞 
利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60C...
关键词：CMOS器件 阈值电压漂移 总剂量效应 NMOSFET PMOSFET 陷阱电荷 界面态 ^60CO 损伤 辐照 
同轴型场畸变气体火花开关的研制被引量：8
《高压电器》2004年第2期109-111,共3页梁天学 丛培天 关颖 蒯斌 林东生 张众 
介绍了为DPF-300型脉冲电流源同步放电系统研制的同轴型场畸变火花开关。通过电场数值计算,对场畸变火花开关的设计进行了验证,对开关的自击穿特性及触发特性进行了实验研究。试验表明,所设计的同轴型三电极场畸变气体火花开关与原DPF-...
关键词：同轴型场畸变气体火花开关 DPF-300型 脉冲电流源同步放电系统 脉冲功率系统 
MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质被引量：3
《固体电子学研究与进展》2003年第2期170-174,共5页郭红霞 张义门 陈雨生 周辉 龚仁喜 何宝平 关颖 韩福斌 龚建成 
通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱...
关键词：MOS器件 界面陷阱 费米能级 氮化物陷阱电荷 辐照 阈值电压漂移 
10 keV X射线在“加速实验”辐照中的优势被引量：3
《微电子学》2002年第4期269-272,共4页郭红霞 陈雨生 周辉 关颖 韩福斌 龚建成 
文章利用实验结果分析了 5 4 HC0 4的阈值电压在不同剂量率下随总剂量的变化关系 ,对若干种加速实验方法进行了比较 ,认为 1 0 ke V X射线源可以作为对 MOS器件进行快速的加速实验性能测试的辐照源。从环境安全考虑 ,1 0 ke V X射线源...
关键词：辐照加固 MOS器件 X射线 加速实验 高温退火 
不同上升时间快前沿电磁脉冲引起PN结失效、烧毁的二维数值模拟被引量：7
《微电子学与计算机》2002年第3期17-20,共4页郭红霞 周辉 陈雨生 张义门 龚仁喜 关颖 韩福斌 龚建成 
利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对PN结的毁坏过程,对计算结果作了分析,得到了一维器件模拟无法得到的电流通道等其他二维效应,详细地给出了器件正常工作、失效直至烧毁的全过程。
关键词：电磁脉冲 漂移扩散模型 结热二次击穿 PN结 失效 烧毁 电子元器件 二维数值模拟 
双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟被引量：2
《核电子学与探测技术》2002年第1期47-51,共5页郭红霞 陈雨生 张义门 周辉 吴国荣 林东升 韩福斌 关颖 龚建成 
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂...
关键词：双层膜结构 剂量增强 粒子输运模拟 相对增强因子 相对测量法 平衡剂量 CMOS器件 X射线 半导体器件 辐射效应 
等离子体渗氮与氮化钛膜沉积一体化工艺对膜基结合力的影响被引量：2
《强激光与粒子束》2002年第1期77-80,共4页肖志刚 林东生 张宏 关颖 叶锡生 
西北核技术研究所高新技术资助课题
在一种增强型多弧镀膜装置上 ,实现了低温等离子体渗氮同氮化钛硬质膜沉积联合处理工艺。通过扫描电镜对膜层结构的分析 ,氮化钛硬质膜与基体之间具有相适应的力学性能 ,并在膜基界面处形成氮化物的混合层。通过对膜基结合力的定量测试 。
关键词：等离子体发生器 氮化钛膜 膜基结合力 材料表面处理 硬质膜 等离子体渗氮 工艺 
微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟被引量：2
《强激光与粒子束》2002年第1期16-20,共5页郭红霞 张义门 陈雨生 周辉 陈世斌 龚仁喜 关颖 韩福斌 龚建成 
用增强光电流模型对微电路 pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算。该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上 ,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底 (准中性区 )电场的效应 ,这些效应对于高阻材料是不容忽视的。该模型...
关键词：微电路 增强光电流模型 Wirth-Rogers光电流模型 过剩少数载流子 高阻材料 数值模拟 Pn结瞬态电离辐射响应 
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