陈晓华

作品数：25被引量：80H指数：6
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供职机构：西安交通大学更多>>
发文主题：单粒子效应质子重离子总剂量效应半导体器件更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《核电子学与探测技术》《物理学报》《计算物理》更多>>
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元宇宙是下一代互联网综合体
《科技经济导刊》2023年第1期89-92,共4页陈晓华 
2021年10月28日,Facebook正式将母公司名称更改为“Meta”,称公司将专注于转向以虚拟现实为主的新兴计算平台。Meta意为“超越”和“元”,取自“Metaverse”,也就是创投圈津津乐道的元宇宙。这个概念起源于尼尔·斯蒂芬森1992年出版的...
关键词：虚拟现实 下一代互联网 元宇宙 
一种基于智能手机的会议系统
《计算机应用》2008年第B06期390-392,共3页李子竞 陈晓华 
与其他发展较为成熟的无线技术相比,蓝牙无线技术具有短距离便捷通信及设备控制的特点。以蓝牙无线通信技术为核心,介绍了一种基于多媒体PC机与蓝牙智能手机的数字会议系统。该系统的实现,能够较好地解决大型会议场所传递话筒不便、电...
关键词：蓝牙无线技术 智能手机 语音通信 微微网 SCO链路 
线圈固有品质因数与LC回路空载品质因数的关系被引量：2
《电力学报》2007年第2期187-189,192,共4页陈晓华 李子竞 
根据品质因数的定义,得出了线圈内阻不能忽略时,LC回路的空载品质因数QP与线圈固有品质因数Q0的关系:QP=Q20-1(1+1/Q0),当Q0 1时,有QP=Q0。同时指出,用传统的串并联阻抗等效的方法计算出的QP的值是不准确的。从而为在低Q值下的计算提供...
关键词：线圈 品质因数 LC谐振回路 阻抗等效 
浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析被引量：13
《电子学报》2003年第8期1260-1262,共3页贺朝会 耿斌 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍 
比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这...
关键词：FLASH ROM EEPROM SRAM 单粒子效应 总剂量效应 
浮栅ROM器件辐射效应机理分析被引量：11
《物理学报》2003年第9期2235-2238,共4页贺朝会 耿斌 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍 
分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理 ,合理地解释了实验中观察到的现象 .指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因 .浮栅ROM器件的中子、质子和6 0
关键词：浮栅ROM器件 辐射效应 氧化物陷阱电荷 界面陷阱电荷 中子 质子 总剂量效应 只读存储器 ^60Coγ 
浮栅ROM器件的辐射效应实验研究被引量：8
《物理学报》2003年第1期180-187,共8页贺朝会 耿斌 杨海亮 陈晓华 王燕萍 李国政 
浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明 ,其 31.9MeV质子和 14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应 ,而是一种总剂量效应 .浮栅ROM器件的6 0 Coγ辐照实验验证了这一点 .器件出现错误有个注量或剂量阈值 .动态监测和静态加电的器件...
关键词：浮栅ROM器件 辐射效应 实验研究 单粒子效应 总剂量效应 只读存储器 
浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究被引量：10
《核电子学与探测技术》2002年第4期344-347,共4页贺朝会 耿斌 陈晓华 王燕萍 彭宏论 
给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错...
关键词：浮栅ROM器件 γ辐射效应 实验研究 总剂量效应 钴60 γ源 只读存储器 
高能质子单粒子翻转效应的模拟计算被引量：10
《计算物理》2002年第4期367-371,共5页贺朝会 陈晓华 李国政 
在分析质子与硅反应的基础上 ,提出质子单粒子翻转截面理论计算模型 ,建立了模拟计算方法 .计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量 .指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量 ,产生...
关键词：高能质子 计算 单粒子翻转 MONTECARLO模拟 模型 半导体器件 航天器 空间辐射 
重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究被引量：2
《核电子学与探测技术》2002年第3期228-230,256,共4页贺朝会 耿斌 王燕萍 彭宏论 杨海亮 陈晓华 李国政 
应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻...
关键词：重离子 γ源 单粒子翻转截面 Γ辐照 半导体器件 钴60 镧252 单粒子效应 γ累积剂量 
静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究被引量：9
《核电子学与探测技术》2002年第2期155-157,142,共4页贺朝会 耿斌 王燕萍 杨海亮 张正选 陈晓华 李国政 路秀琴 符长波 赵葵 郭继宇 张新 
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的...
关键词：静态随机存取存储器 重离子加速器 单粒子翻转效应 C5252 锎252 辐射源 实验研究 
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