畸变的掩模对光刻图形质量的影响  

Effect of distortion of mask on photolithography pattern quality

作　　者：杜惊雷[1] 曾阳素[1] 黄晓阳[1] 粟敬钦[1] 郭永康[1] 崔铮 

机构地区：[1]四川大学物理系,成都610064 [2]Central Microstructure Facility

出　　处：《激光技术》2002年第1期20-22,共3页Laser Technology

基　　金：微细加工光学技术国家重点实验室基金;国家自然科学基金;博士点基金资助项目

摘　　要：基于描述激光直写邻近效应的双高斯函数之差抗蚀剂模型 ,计算分析了邻近效应带来的掩模加工的偏差 ,及其对光刻图形质量的影响。模拟结果表明 ,当掩模的特征尺寸为 1.5 μm时 ,激光直写所加工掩模的相对面积偏差达 5 % 。Following the difference of double Gaussian function describing the proximity effects in laser direct writing,the distortion of the mask and its influence on projection lithography pattern quality are simulated.The results show that the area deviation of the mask fabricated by laser writer is about 5% and make the projection lithography quality worse.

关 键 词：激光直写 邻近效应 分辨力 抗蚀剂模型 畸变 掩模 光刻图形 质量 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]