用于微测辐射热计的氧化矾热敏材料的温度特性  

作　　者：曹永峰[1] 蒋玉龙[1] 段鹏[1] 茹国平[1] 李炳宗[1] 陈永平[2] 

机构地区：[1]复旦大学微电子系,上海200433 [2]中国科学院上海技术物理所,上海200083

出　　处：《半导体技术》2002年第5期58-62,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：氧化矾作为非制冷微测辐射热计的热敏材料,电阻率ρ和电阻温度系数TCR(Temperature Co-efficient of Resistance)是表征其性能的重要参数。通过对用离子束溅射得到的氧化矾薄膜在相同时间不同温度下的N2+H2退火实验,我们发现氧化矾薄膜的电阻率ρ和电阻温度系数TCR之间存在着密切的正相关关系,AES结果表明它们的变化对应着氧化矾热敏材料的O/V比例(或氧空位浓度)的变化。这三个参量随着退火温度的改变而变化,在350～500 ℃的退火温度范围内,我们发现电阻率ρ,电阻温度系数TCR以及O/V比例随着温度的变化均出现一个峰值。通过对氧化矾的电阻温度特性的分析,我们讨论了氧化矾薄膜的导电机制。我们认为,用本方法制备的氧化矾薄膜在室温下导电的载流子主要来自于相对较深能级杂质的电离。

关 键 词：微测辐射热计 氧化矾 热敏材料 温度特性 电阻温度系数 氮氢退火 红外探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TN376