等离子体加工对器件损伤的两种模式  

Two modes of devices damage during plasma processing

作　　者：刘艳红[1] 赵宇[1] 王美田[1] 胡礼中[1] 马腾才[2] 

机构地区：[1]大连理工大学物理系半导体教研室 [2]三束材料改性国家重点实验室,辽宁大连116024

出　　处：《半导体技术》2002年第5期69-72,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：介绍了微细加工中等离子体工艺对器件的损伤。主要有两种损伤模式:充电效应引起的损伤和辐射损伤。讨论了两种损伤模式的等离子体过程及损伤机制。Two modes of devices damage during plasma processing: charging damage and radiationdamage are introduced, and the plasma process and damage theory are presented.

关 键 词：等离子体损伤 可靠性 半导体工艺 超大规模集成电路 

分 类 号：TN470.5[电子电信—微电子学与固体电子学] TN306