新型高效隧道再生多有源区超高亮AlGaInP发光二极管  

作　　者：郭霞[1] 沈光地[1] 王国宏[1] 王学忠[1] 杜金玉[1] 高国[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子工程与信息学院

出　　处：《中国科学（E辑）》2002年第2期207-210,共4页Science in China(Series E)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:69889601;69776033;60077004;4002003);"九七三"国家重大基础研究项目(G20000683-02);北京市科委资助项目(99270603)

摘　　要：分析了传统的发光二极管所存在的问题,提出了一种新的发光机制——高效隧道再生多有源区发光机制,详细介绍了新型发光管的工作原理,结构和制备工艺.通过理论和测试分析,验证了新机理器件的轴向光强随有源区的数目增加而线性增加的物理思想,实现了在小电流下的高亮度发光.器件在未生长厚电流扩展层的情况下,峰值波长在625nm左右,20mA注入电流下,15°普通封装,轴向光强最大超过5 cd.

关 键 词：ALGAINP发光二极管 隧道再生 多有源区 高亮度 发光机制 量子效率 物理思想 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]