ALGAINP发光二极管

作品数：18被引量：32H指数：3
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氧化钨薄膜对发光二极管特性的影响研究
《光电子．激光》2021年第4期344-348,共5页肖和平 朱志佳 
氧化钨薄膜具有适中的光学带隙、折射率及高功函数等半导体特性,本文采用溅射法(Sputtering)制备氧化钨薄膜测试其光电特性,使用AFM、XRD观察薄膜外观结构与晶体状态,应用XPS、UPS表征薄膜的化学计量组分及薄膜功函数,并将此薄膜应用于A...
关键词：氧化钨 函数等 ALGAINP发光二极管 出光效率 
ITO厚度对AlGaInP发光二极管特性的研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2020年第1期7-11,共5页肖和平 王晓彬 
采用金属有机物化学气相沉积技术在GaAs衬底上生长AlGaInP红光发光二极管器件,在表层GaP上沉积氧化铟锡透明导电层,使用扫描电镜分析器件外观、透射电镜观察器件各层结构、半导体测试机测试其光电参数、回流焊验证器件的热稳定性、X射...
关键词：氧化铟锡 AlGaInP二极管 热稳定性 发光角度 
Cr薄膜沉积速率对AlGaInP发光二极管电压的影响
《材料科学与工程学报》2019年第5期823-827,共5页肖和平 朱迪 
研究了在Si基片上沉积Cr薄膜的沉积速率对薄膜残余应力、晶粒尺寸的影响,并进一步讨论薄膜电阻率与残余应力、晶粒尺寸的关系,该电阻率主要由电子在薄膜晶粒内运动及穿越薄膜晶界运动受到阻力而形成。结果表明:薄膜电阻率随残余应力、...
关键词：薄膜沉积速率 金属薄膜 晶粒尺寸 残余应力 正向电压 
GaP表面粗化对AlGaInP发光二极管光电特性的影响被引量：2
《光电子．激光》2018年第12期1275-1280,共6页肖和平 朱迪 
采用湿法溶液粗化AlGaInP基红光LED表面GaP层,并在粗化后的GaP表面沉积ITO,研究了粗化时间对GaP表面形貌的影响,并利用SEM、半导体芯片测试机、X射线衍射仪、X射线光电子能谱对LED器件表面形貌、光电特性曲线、界面晶向、元素特性进行表...
关键词：AlGaInP二极管 湿法粗化 出光角度 发光效率 
微型倒装AlGaInP发光二极管阵列器件的光电性能被引量：5
《光学学报》2018年第9期315-322,共8页班章 梁静秋 吕金光 李阳 
国家自然科学基金(61274122);吉林省科技发展计划(20160204007GX;20180201024GX);广东省科技发展计划(2016B010111003);中国科学院创新促进会基金(2014193;2018254);长春市科技计划(2013269)
为进一步提高红光微型发光二极管(LED)阵列器件的能量利用效率,对倒装AlGaInP LED阵列器件的光电性能进行研究。首先,测试对比了垂直型和倒装型AlGaInP LED两种芯片结构的出光性能,表明倒装型LED具有更高的出光功率。其次,建立了倒装型...
关键词：光学器件 微型 倒装 红光 AlGaInP发光二极管阵列 
复合分布式布拉格反射镜结构AlGaInP发光二极管被引量：2
《激光与光电子学进展》2017年第5期301-306,共6页郑元宇 吴超瑜 林峰 伍明跃 周启伦 李水清 
国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项(2016FYB0400600)
采用金属有机化学气相沉积系统外延了具有三个不同反射中心波长的AlAs/Al0.5Ga0.5As复合分布式布拉格反射镜(DBR),利用透射电镜、X射线衍射仪表征其结构、厚度和组分,利用白光反射谱表征其反射谱强度和带宽。结果表明:该复合DBR比常规DB...
关键词：光学器件 ALGAINP 复合分布式布拉格反射镜 输出光功率 外量子效率 
AlGaInP发光二极管老化性能研究
《激光与光电子学进展》2017年第5期307-312,共6页郑元宇 
国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项(2016FYB0400600)
采用金属有机化学气相沉积系统外延AlGaInP发光二极管,制备成面积小于12 mil×12 mil(300μm×300μm,1mil=25.4μm)的芯片,封装成裸晶结构并在50mA、50℃加速应力环境下进行1008h老化寿命实验,研究外延结构中不同掺杂浓度的分布式布拉...
关键词：光学器件 ALGAINP 小尺寸 分布式布拉格反射镜掺杂 分段掺杂P型层 光衰 
硅基AlGaInP发光二极管激光加工工艺研究
《激光与光电子学进展》2016年第10期133-138,共6页肖和平 陈亮 马祥柱 杨凯 
采用半导体激光器制备了硅基AlGaInP发光二极管,研究了激光能量密度、重复频率及平台加工速度对加工效果的影响,利用电子显微镜等测试工具分析了经激光加工后的硅基LED芯片表面和侧面形貌等结构特性,获得了较优的加工参数。
关键词：激光技术 LED芯片 固体激光器 激光加工 加工参数 
发光二极管表面结构对出光特性的影响被引量：4
《光电子．激光》2009年第2期174-177,共4页张玉敏 邹德恕 韩金茹 沈光地 
北京市科委资助项目(D04003040221);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504);北京工业大学研究生科技基金资助项目(YKJ-2007-3005)
用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED。通过实验结果对比表明,表面生长λ...
关键词：ALGAINP发光二极管 增透膜 传输矩阵法 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 掺铟氧化锡(ITO) 
AlGaInP发光二极管内量子效率测量分析被引量：2
《光电子．激光》2008年第9期1200-1202,共3页仲琳 刘英斌 陈国鹰 赵润 荣宝辉 安振峰 
采用两种方法对650nm AlGaInP LED内量子效率进行测量分析。一是考虑光子循环利用的影响,建立取光效率模型,使用光线追迹法模拟计算取光效率,进而反推出内量子效率。另一方法是变温L-I-V测量分析,在降温过程测量外量子效率随温度的变化...
关键词：发光二极管 内量子效率 取光效率 光子循环 温度 
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