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作 者:曹宝成[1] 于新好[1] 马洪磊[1] 张庆坤[1]
机构地区:[1]山东大学物理学与微电子学学院,山东济南250100
出 处:《半导体技术》2002年第7期23-25,共3页Semiconductor Technology
基 金:山东省自然科学基金资助项目
摘 要:介绍了HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中对硅片表面的作用,无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧化硅的吸收。This paper reports the function of HF solution in DGQ series cleaning techniquefor the silicon surface.Whether it is cleaned by ordinary acid and alkali,or by DGQ series cleaningagent,under a lack of dipping silicon wafer in HF solution,the absorbability of wavenumber1108cm-1 is complex absorbability of differ value state silicon oxide,after dipping silicon waferin HF solution,the complex absorbability turned to absorbability of SiO2 only.
分 类 号:TN305.97[电子电信—物理电子学]
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