射频MEMS压控电容器  

RF MEMS Voltage Control Capacitor

作　　者：朱健[1] 林立强[1] 林金庭[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2002年第2期146-148,共3页Research & Progress of SSE

基　　金：国家预研基金项目 (5 14 0 80 3 0 10 1DZ65 0 1) ;江苏省自然科学基金项目 (BK2 0 0 1192 );江苏高技术研究项目 (BG2 0 0 10 2 0 )支持

摘　　要：研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶The design and fabrication of a RF MEMS voltage control capacitor(VCC) is described. Si based MEMS techniques have been used to fabricate a metal membrane capacitor combined transmission line. An electrostatic potential is applied to the membrane and the transmission line ot tune the capacitance. The test results are as follows. The measured Q factor is 300 at 1 GHz for a 0.21 pF capacitor and C max / C min ratio of the VCC is about 4∶1.

关 键 词：射频 微机电系统 传输线 压控电容器 制造 介质层 金属膜桥 

分 类 号：TM53[电气工程—电器]