GaN肖特基紫外探测器分析  

作　　者：陈守迎 张聪[1] 汤德勇 

机构地区：[1]济南市半导体元件实验所,山东济南250014

出　　处：《硅谷》2014年第12期9-10,共2页

摘　　要：随着科学技术的不断进步,GaN基紫外材料在社会生产已经得到了广泛地应用,这项技术的充分发展,被认为是和发光二极管、激光器具有同样作用的一种器材。基于宽禁带半导体材料的GaN紫外探测器由于具有探测波长可调控性、工艺兼容性好、构造种类比较繁多等特点,现阶段它已经成为了同行界广泛研究的一个对象。GaN肖特基结构紫外探测器因为其具有很好的相应性能与很快的反应速度所以受到业界人士的如此青睐。笔者以肖特基结构探测器的不足之处作为着手点,研究并分析了这种新型的GaN肖特基结构紫外探测器。

关 键 词：GAN 肖特基结构 紫外探测器 ALGAN 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]