张聪

作品数：5被引量：1H指数：1
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供职机构：济南市半导体元件实验所更多>>
发文主题：芯片肖特基二极管高温性能可靠性多层金属化更多>>
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发文期刊：《中国新通信》《电子世界》《硅谷》《科技致富向导》更多>>
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两种增强肖特基二级管芯片稳定性的设计方法被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2016年第1期40-43,共4页张聪 李东华 陈守迎 
首先,介绍了肖特基二极管的基本原理和主要性能;然后,利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺对肖特基二极管进行了改进。结果表明,上述两种工艺能够使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐...
关键词：肖特基二级管 扩散势垒 多层金属化 反向耐压 高温性能 可靠性 
增强芯片可靠性的方法研究
《中国新通信》2015年第20期17-18,共2页张聪 陈守迎 汤德勇 
研究了肖特基芯片势垒结构与参数性能的原理,结果表明利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺,使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强。多层金属化结构利用几种...
关键词：扩散势垒 多层金属化 反向耐压 高温性能 可靠性 
GaN肖特基紫外探测器分析
《硅谷》2014年第12期9-10,共2页陈守迎 张聪 汤德勇 
随着科学技术的不断进步,GaN基紫外材料在社会生产已经得到了广泛地应用,这项技术的充分发展,被认为是和发光二极管、激光器具有同样作用的一种器材。基于宽禁带半导体材料的GaN紫外探测器由于具有探测波长可调控性、工艺兼容性好、构...
关键词：GAN 肖特基结构 紫外探测器 ALGAN 
浅析高温Ti4H-SiC肖特基势垒二极管的特性
《电子世界》2014年第10期499-499,共1页陈守迎 张聪 汤德勇 
SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐照能力强等一系列优点肖特基势垒二极管是实现各种SiC器件的基础,因此对SiC肖特基势垒二极管高温特性的...
关键词：碳化硅 肖特基势垒二极管 伏安特性 热电子发射理论 
碳化硅肖特基结的研制
《科技致富向导》2014年第3期154-155,共2页陈守迎 张聪 汤德勇 
近年来,Si器件的设计和制造工艺取得巨大进步,使Si器件特性已经接近材料理想极限。SiC材料的禁带宽度大、热导率高、临界电场高,SiC器件的高压、高温和抗辐射能力都远高于Si器件。本论文采用了Si器件的各种制成工艺技术,包括保护环、结...
关键词：禁带 热导率 器件 SIC 肖特基二极管 
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