蓝宝石衬底化学机械抛光中材料去除特性的研究  

The study of the material removal features of the sapphire substrate chemical mechanical polishing

作　　者：高翔[1] 周海[2] 黄传锦[2] 冯欢[2] 崔志翔[2] 

机构地区：[1]江苏大学,镇江212013 [2]盐城工学院,盐城224051

出　　处：《制造业自动化》2014年第16期86-89,共4页Manufacturing Automation

基　　金：江苏省产学研前瞻性创新资金项目(BY2014108-04);江苏省"六大人才高峰"(2013-ZBZZ-026);江苏省高校国际科技合作聘专重点项目(G2012029);江苏省自然科学基金项目(BK2008197);江苏省新型环保重点实验室开放课题项目(AE201120);江苏省高校科研成果产业化推进项目(JH10-X048);江苏省生态环境材料重点建设实验室开放项目(EML2012013)

摘　　要：衬底基片的化学机械抛光(CMP)同时兼顾材料去除率及衬底表面质量,在抛光过程中,化学作用与机械作用相辅相成同时参与抛光,化学作用与机械作用的平衡对能否得到满意的衬底表面有重要有意义。针对蓝宝石衬底基片的CMP材料去除率进行了研究,分析了材料去除机理。使用单因素实验法测得:压力的增加会导致材料去除率的增加,但当压力增加到某一点后,材料去除率的增加反而减缓,与此同时衬底基片表面粗糙度达到最小。这一点附近的抛光参数可以达到机械与化学作用的平衡。在实验中,当抛光压力为6kg时材料去除率达到80nm/min,表面粗糙度达到0.2nm。

关 键 词：蓝宝石衬底 CMP 材料去除率 压力 平衡 

分 类 号：TH162[机械工程—机械制造及自动化]