衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究  

Influence of Silicon Wafer Quality on SDB Technology

作　　者：张贺强[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《天津科技》2014年第11期18-19,21,共3页Tianjin Science & Technology

摘　　要：硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而影响键合质量。The Silicon-silicon Direct Bonding（SDB）technology has been widely used in SOI,MEMS and electron-ics. In the technique,the quality of a polished silicon wafer substrate exerts an important impact on both bonding effect and device performance. Consisting of dimensional accuracy and surface quality,the substrate quality will determine the bonding effect through influencing the interfacial stress or introducing interfacial cavities.

关 键 词：硅片 抛光片 硅硅键合 键合质量 

分 类 号：TN364[电子电信—物理电子学]