硅的反应离子刻蚀实验研究  

Experimental Research on the Reactive Ion Etching of Silicon

作　　者：彭明发[1,2] 何小蝶[1,2] 吴海华[1,2] 

机构地区：[1]苏州大学功能纳米与软物质研究院,江苏苏州215123 [2]苏州大学纳米科学技术学院,江苏苏州215123

出　　处：《实验科学与技术》2015年第1期25-26,30,共3页Experiment Science and Technology

摘　　要：采用SF6和O2为刻蚀气体,在275m(torr)的反应压力下对硅进行了反应离子刻蚀实验研究。通过不断调节射频功率、刻蚀气体的流量等系列对比实验,研究、探索并优化了对硅的反应离子刻蚀工艺条件。实验研究得出的最优化条件:射频功率为120W,SF6和O2的流量为36cm3/s和6cm3/s。在该工艺条件下获得三个重要的刻蚀参数:刻蚀速率为1036nm/min,对氧化物的选择比为56.6,均匀性为4.41。Reactive ion etching（ RIE） of silicon was performed with SF6＋ O2 as etching gas under the reaction pressure of 275 m（ torr）. Through changing the Radio- Frequency（ RF） power and the etching gas flow rate,we study and optimize the reactive ion etching process conditions. The RF power at 120 W and the flow rate of SF6 and O2at 36 sccm and 6 sccm were identified as the optimized etching conditions. Under the conditions,the most important etching parameters were obtained with the etching rate as 1036 nm /min,the selectivity to oxide as 56. 6 and the uniformity as 4. 41

关 键 词：反应离子刻蚀 硅 刻蚀速率 选择比 均匀性 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]