功率MOSFET新型封装的研究  

作　　者：胥小平 晏承亮 赖小军 甘海 

机构地区：[1]广东风华高新科技股份有限公司

出　　处：《新材料产业》2015年第3期53-57,共5页Advanced Materials Industry

摘　　要：越来越多的电子产品正在朝着微型化的方向迅速发展，这对电子元器件的封装提出了更高的要求，不仅要求不断缩小元器件体积，还要实现原有或更好的性能，用表面贴装元器件取代原来的插件元器件，是实现电子产品微型化的关键。本文所介绍的用SOT89-3封装的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）替代现有的大体积插件封装大功率MOSFET产品，不仅可以保证产品的性能，还可以实现电子产品的高效率装配和微型化发展。

关 键 词：功率MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 封装 电子元器件 表面贴装元器件 电子产品 微型化 大体积 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]