偏压加强MPCVD法Ir(100)/MgO(100)基片上金刚石异质外延形核  

Heteroepitaxial Nucleation of Diamond on Ir(100)/MgO(100) Substrate by Bias Enhanced Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition Method

作　　者：李义锋[1] 佘建民[1] 苏静杰[1] 唐伟忠[1] 李效民[2] 徐小科[2] 

机构地区：[1]北京科技大学新材料技术研究院,北京100083 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050

出　　处：《人工晶体学报》2015年第4期896-901,共6页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：中俄国际合作专项(2010DFR50360)

摘　　要：利用自行研制的可调谐圆柱谐振腔式微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）装置的结构优势,设计了电极可调节的偏压加强MPCVD装置。采用脉冲激光沉积（PLD）法制备了Ir（100）/MgO（100）基片。采用偏压加强MPCVD装置进行了金刚石异质外延形核的探索,在Ir（100）/MgO（100）基片上实现了金刚石异质外延形核。扫描电镜结果显示,[100]取向的金字塔状外延金刚石晶粒的形核密度达108~109cm-2。Using the structural advantages of the self-developed cylindrical cavity type microwave plasma chemical vapor deposition（ MPCVD） reactor,a bias-enhanced MPCVD reactor with its biasing electrode being adjustable was designed. Ir（ 100） / MgO（ 100） substrates were prepared by the pulsed laser deposition（ PLD） method. Heteroepitaxial nucleation of diamond on the Ir（ 100） / MgO（ 100） substrates was investigated,and a nucleation density of 10^8-10^9cm^-2with pyramidal diamond particles epitaxial grown on the substrates was realized.

关 键 词：金刚石 异质外延 化学气相沉积 微波等离子体 偏压加强 

分 类 号：TQ164[化学工程—高温制品工业]