FinFET、3D NAND推升半导体设备需求  

出　　处：《集成电路应用》2015年第10期44-44,共1页Application of IC

摘　　要：从28纳米到20纳米,甚至发展至16/14纳米,未来集成电路制造技术将因晶片工艺制程变化而带给设备商20至30%的成长空间。另外,3DNAND是存储器产业几十年来最大的技术演进,随着3DNAND堆叠层数不断增加,亦将进一步推升半导体设备需求规模。在电晶体技术方面,Fin FET未来可能利用新材料,譬如硅锗（Silicon Germanium）.

关 键 词：FINFET 设备需求 半导体 NAND 3D 制造技术 集成电路 技术演进 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]