FD-SOI技术助力中国半导体业快速崛起  

作　　者：单祥茹 

出　　处：《中国电子商情》2016年第4期12-13,共2页China Electronic Market

摘　　要：FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是一项采用现有的制造方法和基础设施,通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅层来实现平面晶体管结构的技术。FD-SOI技术集成了两大互相协作的创新工艺：一是在底部硅层上部使用超薄的氧化绝缘体。

关 键 词：平面晶体管 半导体业 硅晶圆 FD-SOI技术 摩尔定律 埋层 芯片面积 电子产品 代工厂 副总裁 

分 类 号：F407.63[经济管理—产业经济]