650V快速体二极管MOSFET  

出　　处：《今日电子》2016年第6期67-67,共1页Electronic Products

摘　　要：650VEF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换（ZVS）／软开关拓扑中提高可靠性，

关 键 词：MOSFET器件 体二极管 零电压切换 反向恢复 阻断电压 高可靠性 过应力 软开关 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]