集成有高压驱动器的GaN解决方案  

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出  处:《今日电子》2016年第6期67-68,共2页Electronic Products

摘  要:德州仪器宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70mU场效应晶体管功率级工程样片——12ALMG3410。借助集成驱动器和零反向恢复电流等特性,LMG3410提供可靠的性能,特别是在硬开关应用中更是如此;在这些应用中,它能够极大地降低开关损耗,最多能降低80%。与独立GaNFET不同,

关 键 词:集成驱动器 高压驱动器 GAN 场效应晶体管 反向恢复电流 低开关损耗 德州仪器 氮化镓 

分 类 号:TN389[电子电信—物理电子学]

 

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