新一代宽禁带半导体紫外光电探测器  

作　　者：周东[1,2] 陆海[1,2] 陈敦军[1,2] 任芳芳[1,2] 张荣[1,2] 郑有炓[1,2] 

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院,江苏210093 [2]江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏210093

出　　处：《光源与照明》2016年第4期25-26,共2页Lamps & Lighting

摘　　要：伴随着紫外辐照在国防、科学研究和民用领域的广泛应用,半导体紫外探测技术也随之快速发展。以Ⅲ族氮化物和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料是近年来国内外重点研究和发展的第三代半导体材料,具有优良的材料性能,是制备紫外探测器的理想材料。文中通过介绍Ⅲ族氮化物和碳化硅紫外探测器的技术现状,对其未来技术发展和应用了进行相关探讨。

关 键 词：宽禁带 紫外探测器 Ⅲ族氮化物 碳化硅 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]