一种新型PTFE覆铜板的等离子处理工艺及其优化  

Plasma Process Used for Novel High Frequency Laminate

作　　者：邹嘉佳[1] 赵丹[1] 范晓春[1] 管美章[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第三十八研究所,安徽合肥230031

出　　处：《电子工艺技术》2017年第1期17-20,共4页Electronics Process Technology

基　　金：国防科工局基金项目(项目编号:JPPT-125-GJGG-17)

摘　　要：通过等离子改性方法对一种新型PTFE覆铜板实施孔金属化前处理。运用正交试验极差分析和Minitab指标趋势图,证明RF源功率是孔壁完整性的最主要影响因素,并最终得到合适的工艺参数。经实验,等离子改性的最佳工艺参数分别为:氢气流量600 m L/min,氮气流量600 m L/min,RF源功率2 000 W,处理温度150℃,处理时间60 min。结果证明采用优化的工艺参数后,PTFE覆铜板孔壁有较好的孔金属化效果。Plasma modified machine was used to clean a novel high frequency PTFE laminate before hole metallization. The reference range for orthogonal test design was fixed to get optimum process parameters. The results showed that cleaning of the hole wall has good effect for through-hole metallization. Optimum parameters are： N2 flow of 600 m L/min, H2 flow of 600 m L/min, processing power of 2000 W, processing temperature of 150 ℃, and processing time of 60 min. It is proven that the plasma modified process with optimized the process parameters can be applied to novel PTFE PCB productions.

关 键 词：高频覆铜板 等离子体 孔金属化 单因素分析 正交试验 

分 类 号：TN41[电子电信—微电子学与固体电子学]