检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
出 处:《半导体信息》2016年第6期13-13,共1页Semiconductor Information
摘 要:松下在慕尼黑电子展"electronica 2016"上,展示了GaN功率晶体管和该器件的应用实例。同时宣布,将开始量产耐压600V的GaN功率晶体管"PGA26E07BA"和"PGA26E19BA"。均采用8mm见方的DFN封装。还将开始量产支持该晶体管的栅极驱动IC"AN34092B"。这是松下第一次量产GaN功率晶体管产品。该公司于2013年3月开始样品供货耐压600V的GaN功率晶体管。
关 键 词:GAN 驱动IC 功率元件 松下 功率晶体管 DFN封装 栅极驱动 慕尼黑
分 类 号:TN304.23[电子电信—物理电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.28