16 Gb/s GaN数模转换器芯片  

16 Gb/s GaN DAC

作　　者：张有涛[1,2] 孔月婵[1] 张敏[2] 周建军[1] 张凯[1] 

机构地区：[1]微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所,南京210016 [2]南京国博电子有限公司南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2017年第2期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）0．1μm GaN工艺，采用f1／fmax分别为100GHz／165GHz的耗尽型晶体管设计，首次研制出16Gb／s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1．20mm×0．15mm。

关 键 词：DAC芯片 B/S GAN 数模转换器 南京电子器件研究所 晶体管设计 耗尽型 

分 类 号：TN912.2[电子电信—通信与信息系统]