Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性  

出　　处：《半导体信息》2017年第3期19-19,共1页Semiconductor Information

摘　　要：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

关 键 词：功率MOSFET 高功率密度 SC-70封装 特性 移动设备 消费电子 塑料封装 漏极电流 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]