应用于微波/毫米波领域的集成无源器件硅基转接板技术  

Silicon Interposer Combined with Integrated Passive Devices for Micro/Millimeter Wave Application

作　　者：黄旼[1,2] 朱健[1,2] 石归雄[2] 

机构地区：[1]微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016 [2]中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京210016

出　　处：《电子工业专用设备》2017年第4期20-23,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传输线损耗在40 GHz为0.34 dB/mm,电容密度达到1.05 fF/μm^2,2.5圈8 n H电感最大Q值在1.5 GHz达到16。这项制造技术与CMOS制造工艺兼容,可为超高集成度的三维集成型化射频微系统提供有力支撑。In this paper, we present a silicon based interposer combined with IPD RF micro-system application. In our design, inductor, capacitor, resistor, CPW line and TSV are integrated on a high resistive silicon substrate, making it possible to realize system-on-chip integration of CMOS, MMIC and MEMS devices. Loss of the CPW line is measured to be 0.34 dB/mm at 40 GHz. The capacitance density reaches 1.05 fF/μm2. The inductance for a 2.5-turn inductor is 8 nil, and the maximum Q factor is 16 at 1.5 GHz. This CMOS-compatible fabrication technique provides a new approach for high level miniaturized RF micro-system.

关 键 词：集成无源器件 硅通孔 互补金属氧化物半导体 转接板 射频 

分 类 号：TN603[电子电信—电路与系统]