使用SMT封装晶体管的宽带L频段160W GaN功率放大器的设计  

作　　者：J M Greene R M H Smith L M Devlin R Santhakumar R Martin 

机构地区：[1]Plextek RFI [2]Qorvo公司

出　　处：《中国电子商情》2017年第11期44-48,共5页China Electronic Market

摘　　要：氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。如图1所示,Qorvo的QPD1013晶体管采用0.50μm GaN-on-SiC技术。它采用具有成本效益的6.6 x 7.2mm DFN（双边扁平无引脚）封装,与传统的金属陶瓷封装相比,可以实现更简单的PCB组装。

关 键 词：功率放大器 晶体管 封装 SMT GAN 宽带 设计 IC技术 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]