15.14 MeV/u ^(136)Xe离子引起的单粒子效应(英文)  

Single Event Effects Induced by 15.14 MeV/u ^(136)Xe Ions

作　　者：侯明东[1] 张庆祥[1] 刘杰[1] 王志光[1] 金运范[1] 朱智勇[1] 甄红楼[1] 刘昌龙[1] 陈晓曦[1] 卫新国 张琳 樊友诚 祝周荣 张弋艇 

机构地区：[1]中国科学院近代物理研究所,兰州730000 [2]中国航科集团航天计算机研究所,上海200050

出　　处：《高能物理与核物理》2002年第9期904-908,共5页High Energy Physics and Nuclear Physics

基　　金：国家自然科学基金 (1 9775 0 5 81 0 0 75 0 64);中国科学院基金资助~~

摘　　要：研究了 1 5.1 4MeV/u136 　Xe离子在不同批次的 3 2k× 8bits静态存储器中所引起的单粒子效应 .获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系 .将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系 ,而不是线性能量转移(LET)值 .估计了灵敏体积的深度和死层的厚度 .Single event effects induced by 15.14MeV/u 136 Xe ions in different batches of 32 k ×8 bits static random access memory are studied. The incident angle dependences of the cross sections for single event upset and single event latchup are presented. The SEE cross sections are plotted versus energy loss instead of linear energy transfer value in sensitive region. The depth of sensitive volume and thickness of 'dead' layer above the sensitive volume are estimated.

关 键 词：15.14MeV/u^136Xe离子 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子闭锁 静态存储器 入射角度 截面 

分 类 号：O572.21[理学—粒子物理与原子核物理]