GaN HFET中局域电子气产生的动态电流(续)  

Dynamic Current Induced by Localized Electron Gasses in GaN HFET

作　　者：薛舫时[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2017年第4期221-228,244,共9页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61474101;61504125);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA016802;2015AA033305)

摘　　要：3瞬态电流谱和瞬态电阻谱中两种电子气的动态电流峰为了深入研究器件射频工作中的电流崩塌,许多作者测量了栅漏偏置电压改变时沟道的动态输运行为,获得了大量瞬态电流谱和瞬态电阻谱。大家认为这些电流谱和电阻谱都是陷阱俘获电子耗尽沟道二维电子气造成的。因此文献中都先加一个脉冲来给器件中的陷阱充电,

关 键 词：电子气 GAN HFET 瞬态电流 电流变化 偏置电压 势垒层 电应力 充电时间 通态 栅压 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]