MOCVD生长AlN改进化学反应模型的数值模拟探究  

作　　者：王丹[1] 卢钦 时亚茹[1] 

机构地区：[1]重庆能源职业学院能源工程系,重庆402260 [2]长城汽车股份有限公司,河北保定071000

出　　处：《山东工业技术》2018年第11期204-206,共3页Journal of Shandong Industrial Technology

基　　金：重庆市教委科学技术研究项目(KJ1505502)

摘　　要：针对MOCVD-AlN生长的寄生反应很严重的现象,改进化学模型,通过分析垂直转盘反应模型中各组分的浓度分布,发现改进后化学模型生长速率更加接近实验值。垂直喷淋式反应器内的流动和传导相对强烈,其中聚合物粒子浓度在上壁面下方以三聚物和二聚物最高,AlN粒子在反应器中分布较为均匀,垂直喷淋式反应器模拟得到的AlN生长速率比实验值低。

关 键 词：MOCVD 化学模型 ALN 数值模拟 

分 类 号：TQ133.1[化学工程—无机化工]