宜普公司推出基于氮化镓器件高效率电源转换方案  

出　　处：《半导体信息》2018年第4期9-10,共2页Semiconductor Information

摘　　要：GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力.

关 键 词：微电子器件 第三代半导体材料 电源转换 氮化镓 化合物半导体材料 GAN材料 光电子器件 化学稳定性 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]