AT&T开发的0.35μm工艺器件内部多层布线技术  

作　　者：黎星 

出　　处：《微电子技术》1995年第4期63-63,共1页Microelectronic Technology

关 键 词：多层布线 平坦化 介质膜 内部布线 光致抗蚀剂 AT&T 开发评价 光刻装置 接触电阻 贝尔研究所 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]