脉冲功率器件直流和动态热特性探测  

Testing on Thermal Characteristics of Pulse Power Transistor under Dynamic and DC Bias

作　　者：来萍[1] 何小琦[1] 冯敬东[1] 牛付林[1] 王因生[2] 王志楠[2] 付义珠[2] 

机构地区：[1]信息产业部电子第五研究所,广东广州510610 [2]南京电子器件研究所,江苏南京210016

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2002年第5期1-5,共5页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

基　　金：国防科技技术重点实验室基金项目:微波脉冲功率器件动态温度分布与特性测试技术;99 JS 03.2.1

摘　　要：介绍了针对影响微波脉冲功率器件可靠性的热性能问题,应用红外热分析技术,对比探测微波脉冲功率器件在动态和直流状态下的温度分布、峰值结温、热阻及其变化规律。The research of testing technique on dynamic thermal distributing and characteristics of microwave pulse power transistor was introduced. The behaviors of dynamic temperature distributions, maximum junction temperature and thermal resistance under dynamic and DC bias was investigated using infrared microscopy.

关 键 词：动态热特性 微波脉冲功率器件 温度特性 热分析 

分 类 号：TN78[电子电信—电路与系统]