力旺电子OTP硅知识产权成功导入22FDX工艺  

作　　者：力旺电子 

机构地区：[1]不详

出　　处：《中国集成电路》2018年第11期8-8,11,共2页China lntegrated Circuit

摘　　要：力旺电子近日宣布其一次可编程(OTP)内存硅知识产权NeoFuse成功导入22nm全耗尽绝缘体上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺平台(22FDX),NeoFuse技术继在FinFET工艺平台完成验证后,再次于FD-SOI工艺证明其优异的特性。此外,力旺电子NeoFuse技术还可于超低电压操作,系统于启动最初阶段即可开始运作以提供芯片的安全认证,特别适用于智能卡、移动支付及物联网等应用,并具有低漏电及优于一般的面积成本优势。

关 键 词：SOI工艺 绝缘体上硅 知识产权 OTP 电子 FINFET 一次可编程 超低电压 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]