GaN功率模块加速寿命试验设计  

作　　者：王振亚[1] 杨强[1] 刘荣军[1] 许悦[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所

出　　处：《通讯世界》2019年第7期346-347,共2页Telecom World

摘　　要：GaN功率器件以宽能带隙、高击穿电压、高功率密度和高增益以及更高的沟道结温特性,正逐步被市场所接收,但GaN器件的可靠性还没有得到充分评估和认证,亟需开展可靠性评价工作.基于此,本文设计了GaN功率器件温度加速寿命测试平台,对已经研制的GaN功率模块进行了温度加速寿命测试.通过试验结果计算的GaN功率模块的平均失效时间(MTTF)可达200万h,表明设计的GaN功率模块具备长期高可靠工作性能.

关 键 词：试验设计 功率模块 加速寿命 GAN 功率器件 高功率密度 宽能带隙 击穿电压 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]