刘荣军

作品数：3被引量：10H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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GaN功率模块加速寿命试验设计被引量：1
《通讯世界》2019年第7期346-347,共2页王振亚 杨强 刘荣军 许悦 
GaN功率器件以宽能带隙、高击穿电压、高功率密度和高增益以及更高的沟道结温特性,正逐步被市场所接收,但GaN器件的可靠性还没有得到充分评估和认证,亟需开展可靠性评价工作.基于此,本文设计了GaN功率器件温度加速寿命测试平台,对已经...
关键词：试验设计 功率模块 加速寿命 GAN 功率器件 高功率密度 宽能带隙 击穿电压 
平面式高功率信号放大器设计被引量：1
《数字技术与应用》2017年第3期207-209,共3页刘荣军 李保林 
氮化镓高电子迁移率晶体管(Ga N HEMT)具有高功率密度、高效率和高工作温度的优异特性,在电子装备和武器系统中具有广泛应用。随着以固态功放为核心的有源阵面的不断增加,高效率,高功率,小型化的功率放大器成为未来有源相控阵雷达的首...
关键词：GaNHEMT 平面式 内匹配 高效率 偏置电路 
基于GaN HEMT的S波段内匹配功率放大器设计被引量：8
《半导体技术》2014年第1期38-41,77,共5页关统新 要志宏 赵瑞华 杨强 刘荣军 
采用内匹配技术和平面功率合成相结合的设计方法,设计并实现了一款S波段功率放大器。在设计过程中,先通过预匹配电路将功率芯片的阻抗适当提高,进而利用Wilkinson功分器进行功率合成。该放大器基于中国电子科技集团公司第十三研究所自...
关键词：氮化镓 内匹配 宽带 高效率 功率放大器 
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