高电导率p型AlGaN材料  

High p-type Conduction AIGaN Epilayers

作　　者：罗伟科[1] 李忠辉[1] 孔岑[1] 杨乾坤[1] 杨峰 LUO Weike;LI Zhonghui;KONG Cen;YANG Qiankun;YANG Feng(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

出　　处：《固体电子学研究与进展》2019年第5期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进行,既能保证晶体质量,又能提升受主杂质Mg的激活效率。

关 键 词：晶体质量 受主杂质 外延生长 MOCVD系统 ALGAN Mg掺杂 高电导率 效率提升 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]