一种新型可容忍单节点翻转锁存器加固设计  

作　　者：汪勇[1] 

机构地区：[1]安徽理工大学电气与信息工程学院

出　　处：《电子世界》2020年第1期171-172,共2页Electronics World

摘　　要：自第一块集成电路(integrated circuit,IC)被研制以来,集成电路不断发展。在摩尔定律的准确预测下,集成度呈数量级跨越。由此带来的软错误率(soft error rates,SER)随之攀升,集成电路面临越来越严峻的挑战。文章中通过研究单粒子效应(single event effects,SEE),提出了新颖的SEUSRL锁存器,该锁存器可以容忍并恢复单节点翻转(single node upset,SNU)。仿真结果表明,该锁存器具有SNU容忍能力,并且与其他SNU容忍单元相比,具有较小的功耗延迟积。

关 键 词：锁存器 摩尔定律 软错误率 单节点 集成电路 翻转 加固设计 单粒子效应 

分 类 号：G63[文化科学—教育学]