美国纽约州立大学理工学院创下4H-SiC MOSFET性能新纪录  

出　　处：《半导体信息》2020年第6期1-2,共2页Semiconductor Information

摘　　要：美国纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)在4H-碳化硅(SiC)横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能创下了新的纪录。0.3μm沟道、2.5μm栅漏间距实现了7.7mΩ-cm2导通电阻和450V击穿电压。研究成果发表在IEEE Transactions OnElectron Devices。需求背景在功率集成电路应用中,由于SiC具有3MV/cm击穿临界电场,比硅大一个数量级,SiC器件正在寻求取代成熟的硅技术。SiC基器件面临的一个挑战是如何同时实现低导通电阻与高击穿电压。

关 键 词：击穿电压 功率集成电路 导通电阻 MOSFET 硅技术 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]