PECVD氮化硅薄膜钝化特性研究  

作　　者：李倩 

机构地区：[1]英利能源(中国)有限公司

出　　处：《电子世界》2021年第14期21-22,共2页Electronics World

摘　　要：采用江苏微导纳米装备科技有限公司生产的管式镀膜设备,使用PECVD的方法制备氮化硅(SiNx)膜,测试不同工艺温度,射频功率下氮化硅膜的钝化效果,得出最佳工艺条件为:工艺温度450~500℃,射频功率12000W,并在该工艺条件下制备正面膜厚80nm,背面膜厚60nm,折射率2.08-2.10的氮化硅膜,测试该参数下TOPCon电池效率为22.82%。

关 键 词：少子寿命 氮化硅薄膜 钝化效果 工艺温度 减反射膜 PECVD 氮化硅膜 射频功率 特性研究 

分 类 号：TQ1[化学工程]