香港科技大学开发出基于氮化镓的互补逻辑集成电路  

出　　处：《金属功能材料》2021年第5期103-103,共1页Metallic Functional Materials

摘　　要：据TechXplore网9月6日消息,香港科技大学研究人员开发出基于氮化镓(GaN)的互补逻辑集成电路。通常,氮化镓材料受限于材料特性而广泛用于功率和射频器件的制作,鲜用于逻辑器件的制作。香港科技大学研究人员基于硅基氮化镓功率HEMT(高电子迁移率晶体管)平台完成氮化镓互补逻辑集成电路的开发。该研究将有助于逻辑电路和功率转换电路的集成,帮助开发更贴合电力控制系统需求的电路。

关 键 词：逻辑集成电路 高电子迁移率晶体管 逻辑电路 射频器件 逻辑器件 电力控制系统 HEMT 材料特性 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]