逻辑集成电路

作品数:55被引量:18H指数:2
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香港科技大学开发出基于氮化镓的互补逻辑集成电路
《金属功能材料》2021年第5期103-103,共1页
据TechXplore网9月6日消息,香港科技大学研究人员开发出基于氮化镓(GaN)的互补逻辑集成电路。通常,氮化镓材料受限于材料特性而广泛用于功率和射频器件的制作,鲜用于逻辑器件的制作。香港科技大学研究人员基于硅基氮化镓功率HEMT(高电...
关键词:逻辑集成电路 高电子迁移率晶体管 逻辑电路 射频器件 逻辑器件 电力控制系统 HEMT 材料特性 
香港科技大学研究人员开发基于氮化镓的互补逻辑集成电路
《金属功能材料》2021年第5期103-103,共1页
据TechXplore 9月6日消息,香港科技大学(HKUST)的研究人员开发了一系列基于氮化镓(GaN)的互补逻辑集成电路(IC)。研究人员展示了一种单片集成GaN n-FET和p-FET的合适策略,并证明了构建基于GaN的互补逻辑IC的可行性。为此,研究人员使用...
关键词:逻辑集成电路 射频功率放大器 单片集成 电力电子 功率器件 GaN FET HEMT 
十年争强 逐鹿方寸间 以PPAC分析集成电 路三巨头的工艺制程
《微型计算机》2021年第13期85-91,共7页张平(文/图) 
英特尔、台积电和三星是全球逻辑集成电路工艺制程最先进的三家厂商。从28nm时代开始,这三家厂商就在集成电路的工艺制程上你追我赶,并一直持续到即将到来的3nm阶段。回顾过去,展望未来,英特尔、台积电和三星在集成电路工艺上究竟有怎...
关键词:逻辑集成电路 展望未来 集成电路工艺 工艺制程 英特尔 三巨头 三星 
日本新技术使芯片耗电力降至1/10联电抢先导入生产
《半导体信息》2015年第3期35-35,共1页郑畅 
日本半导体(芯片)、液晶技术研发机构日本半导体能源研究所(SEL、Semiconductor Energy Laboratory)已研发出可将耗电力压缩至现行1/10以下水准的下代芯片量产技术,且台湾晶圆代工大厂联电将抢先在2016年夏天开始生产采用上述技术的CPU...
关键词:氧化物半导体 晶圆代工 电池寿命 流外 液晶技术 逻辑集成电路 穿戴式 三星电子 
高温下仍可正常运作的碳化硅逻辑电路
《科技纵览》2013年第2期71-71,共1页
凯斯西储大学的研究学者们已经将耐热集成逻辑电路的耐受温度推向一个新的高度—550℃,远远高于美国国家航空航天局(NASA)所测试的集成电路的耐受温度。传统的硅集成电路在温度超过350℃以上的环境下即会分解,但此类电路在高温环境...
关键词:高温环境 逻辑电路 碳化硅 美国国家航空航天局 硅集成电路 运作 喷气式发动机 逻辑集成电路 
基于新型碳纳米管的薄膜晶体管问世 碳纳米管顺序逻辑集成电路首次得以实现
《炭素技术》2011年第2期47-47,共1页
据美国物理学家组织网2011年2月17日报道,最近,科学家研制出了金属性和半导体性之间平衡达到最优化的新式碳纳米管,并使用这种纳米管制造出了薄膜晶体管(TFT),未来有望研制出诸如电子书和电子标签等高性能、透明的柔性设备。
关键词:薄膜晶体管 碳纳米管 逻辑集成电路 物理学家 电子标签 柔性设备 最优化 半导体 
KLA-Tencor为晶片厂推出光罩检查系统的全新TeraFab系列
《电子工业专用设备》2008年第4期65-65,共1页
KLA-Tencor公司日前推出了全新系列的光罩检查系统,为晶片厂提供更灵活的配置方式,以检验进货的光罩,并检查生产光罩是否存在会降低产能并增加生产风险的污染物。TeraFab系统提供了2种基本配置,以满足逻辑集成电路和内存晶片厂及不同代...
关键词:检查系统 光罩 晶片 KLA-Tencor公司 基本配置 逻辑集成电路 生产风险 ab系统 
光罩检查系统的全新TeraFab系列
《国外电子元器件》2008年第4期78-78,共1页
KLA-Tencor公司推出了全新系列的光罩检查系统,为晶片厂提供更灵活的配置方式,以检验进货的光罩,并检查生产光罩是否存在会降低产能并增加生产风险的污染物。TeraFab系统提供了三种基本配置,以满足逻辑集成电路和内存晶片厂及不同...
关键词:检查系统 光罩 KLA-Tencor公司 逻辑集成电路 生产风险 芯片制造商 ab系统 检查要求 
KLA—Tencor推出光罩检查系统的全新TeraFab系列
《中国集成电路》2008年第4期8-8,共1页
KLA—Tencor公司宣布推出了全新系列的光罩检查系统,为晶片厂提供更灵活的配置方式,以检验进货的光罩,并检查生产光罩是否存在会降低产能并增加生产风险的污染物。TeraFab系统提供了三种基本配置,以满足逻辑集成电路和内存晶片厂及...
关键词:检查系统 KLA 光罩 逻辑集成电路 生产风险 芯片制造商 ab系统 检查要求 
MOCVD技术沉积氮化钛在超大规模集成电路中的应用被引量:1
《集成电路应用》2007年第10期55-56,共2页丁卫华 
氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0.18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中,MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规...
关键词:超大规模集成电路 MOCVD技术 氮化钛 应用 沉积 逻辑集成电路 填充技术 芯片制造 
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